MegaBits.lv - ir tiešsaites žurnāls, kur tu vari atrast jaunumus un ziņas par mūsdienīgam tehnoloģijam


NVIDIA GeForce GeForce RTX 50xx būs pirmā, kas saņems GDDR7 atmiņu - iekšēja informācija

Insideris ziņo, ka NVIDIA GeForce RTX 50xx videokartes būs pirmās, kas saņems jaunās paaudzes GDDR7 atmiņu. Galddatora versijas būs aprīkotas tikai ar Samsung atmiņu. GDDR7 atmiņu izstrādā trīs galvenie nozares spēlētāji: Samsung, SK Hynix un Micron...

Lasīt Vairāk

Samsung ir ieviesis GDDR7 atmiņu 3 GB moduļos - pusotru reizi lielāku un divreiz ātrāku.

Samsung paziņoja par nozares «pirmo» 24 gigabitu (3 gigabaitu) GDDR7 atmiņas izveidi videokartēm. Tā atbalsta ātrumu virs 40 Gbps. Jaunā atmiņa ir ātrāka un, kas ļoti svarīgi, piedāvā lielāku vienības kapacitāti nekā GDDR6. Tā vietā, lai piedāvātu 1 ...

Lasīt Vairāk

Samsung HBM mikroshēmas neiztur Nvidia testus augsta enerģijas patēriņa un siltuma izkliedes problēmu dēļ - Reuters

Jaunākie Samsung HBM (augstas joslas platuma atmiņas) čipi neizdevās Nvidia testus par izmantošanu mākslīgā intelekta paātrinātājos. Problema slēpjas tajā, ka šādi čipi patērē pārāk daudz enerģijas un izdala pārāk daudz siltuma. Par to paziņo trīs in...

Lasīt Vairāk

SK hynix paziņo par 300 TB SSD un citām tehnoloģijām datu centriem un mākslīgajam intelektam

SK Hynix informēja uz preses konferenci Seulā, ka izstrādā SSD ar milzīgu 300 TB ietilpību. Cietā diska uzglabāšanas ierīce tika paziņota kā daļa no plašā portfeļa ierīču un tehnoloģiju centrālajiem datu apstrādes centriem un AI. Uzņēmumā ir uzskats,...

Lasīt Vairāk

DRAM un NAND vienā mikroshēmā - pētnieki ir radījuši fāžu maiņas atmiņu, kas patērē maz enerģijas.

Pētnieki Korejas Tehnoloģiju un Zinātņu institūtā (KAIST) Dienvidkorejā ir izstrādājuši jaunu veidu fāzes maiņas atmiņu, kas nav apveltīta ar iepriekšējo šīs tehnoloģijas iterāciju trūkumiem. Fāzes maiņas atmiņa, vai PCM saīsinājumā, darbojas, pārejo...

Lasīt Vairāk
Lente.lv

Samsung laiž klajā nākamās paaudzes V-NAND atmiņu: +33% veiktspējas, -10% enerģijas patēriņa

Samsung ziņoja par pirmā masa ražojama 9. paaudzes V-NAND flash atmiņas sākumu, kas piedāvā 33% uzlabojumu salīdzinājumā ar pašreizējo. Šajā mēnesī tiks sākta TCL V-NAND ražošana ar 1 terabajtu lielu jaudu, QLC tiks piegādāts 2024. gada otrajā pusē. ...

Lasīt Vairāk