Korporācija Samsung prezentēja virkni gaidāmo uzlabojumu ražošanas tehnoloģijās, lai piesaistītu AI čipu veidotājus.
Uzņēmums piedāvā uzlabotu procesoru izstrādes procesu, izmantojot atgriezeniskās barošanas tehnoloģiju, kurā sliedes tiek izvietotas uz citas silīcija plāksnes puses. Uzņēmuma pārstāvji norāda, ka šī pieeja palielina jaudu un veiktspēju, samazinot sprieguma zudumus, salīdzinot ar pirmās paaudzes 2 nm tehnoloģiju procesu.
Pateicoties šiem jauninājumiem, Dienvidkorejas uzņēmums plāno palielināt pusvadītāju ražošanas pasūtījumus AI čipu izstrādei.
Samsung arī atklāja savu galveno tehnoloģiju AI produktiem - četrpusējās Gate-all-around (GAA) kanālu apvēršanas procesu. Šī tehnoloģija ļauj labāk kontrolēt tranzistora pārslēgšanos. Korporācija plāno uzsākt otrās paaudzes 3 nm tehnoloģijas procesu masveida ražošanu 2024. gada otrajā pusē un integrēt GAA gaidāmajā 2 nm tehnoloģijas procesā.
Uzņēmums apstiprināja darbu pie 1,4 nm mikroshēmām, kuru ražošanu plānots sākt 2027. gadā.
Saskaņā ar Bloomberg, Samsung apvienos divus Ziemeļamerikas mākslīgā intelekta pētniecības centrus un nolīgs bijušo Apple vadītāju, lai vadītu jauno uzņēmumu.
Saskaņā ar avotiem, uzņēmums izveido jaunu apvienotu nodaļu North America AI Center, lai uzlabotu darbu un paaugstinātu komandu efektivitāti. Tajā strādās darbinieki no Toronto (Kanāda) un Kalifornijas (ASV), un nodaļu vadīs Murats Akbačaks, kurš Apple atbildēja par Siri attīstību, apgalvo izdevums.
Atgādinām, ka Samsung aizliedza darbiniekiem izmantot ģeneratīvā AI rīkus, piemēram, ChatGPT, baidoties no slepenu datu noplūdes.
Komentāri (0)
Šobrīd nav neviena komentāra